인피니언, 혁신적인 소스-다운 기술 적용한 OptiMOS™ 전력 MOSFET 출시
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인피니언, 혁신적인 소스-다운 기술 적용한 OptiMOS™ 전력 MOSFET 출시
  • 최봉혁 기자
  • 승인 2022.01.12 00:33
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인피니언 PQFN SDplusCG

최신 전력 시스템 설계 시 높은 전력 밀도, 최적화된 성능, 사용 편의성이 중요하게 요구된다. 이러한 설계 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)는 차세대 OptiMOS™ 소스-다운(Source-Down) 전력 MOSFET를 출시한다고 11일 밝혔다.

이들 제품은 PQFN 3.3mmx3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대로 제공된다. MOSFET 성능에 새로운 기준을 제시하는 이 패키지는 더 높은 효율, 더 높은 전력 밀도, 더 우수한 열 관리 및 낮은 BOM (bill of material)을 제공해 모터 드라이브, 서버와 텔레콤 용 SMPS, OR-ing 및 배터리 관리 시스템 등의 애플리케이션에 적합하다.

표준 드레인-다운(Drain-Down) 콘셉트와 비교해서 최신 소스-다운(Source-Down) 패키지 기술은 동일한 패키지 아웃라인에 더 넓은 실리콘 다이 탑재를 할 수 있다. 또한 디바이스의 전체 성능을 제한하는 패키지로 인한 손실을 줄여서, 최신 드레인-다운 패키지 대비 RDS (on)을 최대 30%까지 줄일 수 있다. 시스템 차원에서는 SuperSO8 5mmx6mm 풋프린트를 PQFN 3.3mmx3.3mm 패키지로 교체하면 공간을 약 65% 줄일 수 있어 폼팩터를 축소할 수 있다. 그러면 남는 공간을 효과적으로 활용해서 최종 시스템의 전력 밀도와 시스템 효율을 높일 수 있다.

또한 소스-다운 콘셉트에서는 열을 본드 와이어나 구리 클립 대신 열 패드를 통해 PCB로 직접 분산시킨다. 그러면 열 저항 RthJC를 1.8K/W에서 1.4K/W로 20% 이상 향상해 열 관리를 간소화할 수 있다. 인피니언은 두 가지 풋프린트 버전과 레이아웃 옵션을 제공한다. 소스-다운 표준 게이트와 소스-다운 센터 게이트이다. 표준 게이트 레이아웃은 드레인-다운 패키지의 드롭인 교체를 단순화하고, 센터 게이트 레이아웃은 병렬화를 수월하게 한다. 이 두 가지 옵션은 PCB에서 최적의 디바이스 배치, PCB 기생성분 최적화 및 사용 편의성을 제공한다.

◇공급

OptiMOS™ 소스 다운 전력 MOSFET은 공급을 시작했으며, PQFN 3.3mmx3.3mm 패키지로 25V~100V의 다양한 전압대, 두 가지 풋프린트 버전으로 제공된다. 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다.
 


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